1. IKW50N65F5FKSA1
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厂商型号

IKW50N65F5FKSA1 

产品描述

IGBT 650V 80A 305W PG-TO247-3

内部编号

173-IKW50N65F5FKSA1

#1

数量:248
1+¥20.4148
25+¥20.4148
100+¥20.4148
250+¥10.2074
500+¥10.2074
1000+¥10.2074
2000+¥10.2074
3000+¥10.2074
最小起订量:1
英国伦敦
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#2

数量:12
1+¥20.6494
25+¥19.1855
100+¥18.415
500+¥17.6444
1000+¥16.7969
最小起订金额:¥₩600
新加坡
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#3

数量:2
30+¥23.604
最小起订量:30
英国伦敦
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订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

全场免邮
全场免运费 /报价不含任何销售税

IKW50N65F5FKSA1产品详细规格

规格书 IKW50N65F5
IKW50N65F5FKSA1 datasheet 规格书
栅极电荷 120nC
电流 - 集电极( Ic)(最大) 80A
安装类型 Through Hole
开关能量 490µJ (on), 160µJ (off)
标准包装 240
时间Td(开/关) @ 25°C 21ns/175ns
Vce(开) (最大值) Vge,Ic时 2.1V @ 15V, 50A
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 650V
供应商设备封装 PG-TO247-3
反向恢复时间(trr ) 120ns
封装 Tube
功率 - 最大 305W
输入类型 Standard
封装/外壳 TO-247-3
测试条件 400V, 25A, 12 Ohm, 15V
其他名称 SP000973420
电流 - 集电极脉冲( ICM ) 150A
栅极 - 射极漏泄电流 100 nA
集电极 - 发射极饱和电压 1.6 V
连续集电极电流Ic最大 56 A
系列 IKW50N65
连续集电极电流在25 C 80 A
集电极 - 发射极最大电压VCEO 650 V
安装风格 Through Hole
功率耗散 305 W
最大栅极发射极电压 20 V
最低工作温度 - 40 C
配置 Single
最高工作温度 + 175 C
RoHS RoHS Compliant
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
工厂包装数量 240
品牌 Infineon Technologies
技术 Si
Pd - Power Dissipation 305 W
零件号别名 IKW50N65F5 SP000973420

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